特許

J-GLOBAL ID：200903069482911426

固体撮像装置

発明者： 井原 久典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220724
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088341
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 画素電極を形成した基板上に光電変換膜を積層した構造において、残像の低減をはかり得る固体撮像装置を提供することにある。【構成】 半導体基板10に蓄積ダイオード12,CCD13を形成し、最上層に蓄積ダイオード12と接続される画素電極19を形成した固体撮像素子チップと、このチップ上に形成された光電変換膜20と、この光電変換膜20上に形成された透明電極30とを具備した固体撮像装置において、光電変換膜20を画素電極19側から順に、i型a-SiC正孔バリア層21,p型a-Siバッファ層22,i型a-Si光電変換層24,p型a-SiC電子バリア層25を積層して構成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

主面に複数の画素電極が形成された基板と、この基板の主面上に形成された光電変換膜と、この光電変換膜上に形成された透明電極とを具備した固体撮像装置であって、前記光電変換膜は、前記画素電極側から正孔バリア層としてのi型又はn型の非晶質半導体層,バッファ層としてのp型の非晶質半導体層,光電変換層としてのi型の非晶質半導体層を順に積層してなることを特徴とする固体撮像装置。