特許

J-GLOBAL ID：200903069484704037

積層型固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 田中 治彦 ,  尾崎 俊文 ,  木村 勝高 ,  久▲禮▼ 得男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118138
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316450
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【構成】 シリコン基板100上に形成された光電変換膜とMOS素子とを有する固体撮像素子において、光電変換膜107をシリコン基板表面109上に直接形成し、かつ、シリコン基板の表面が光電変換膜に電圧を印加する手段の一部となるよう構成する。【効果】 光電変換膜107の下地にゲート電極103などの凹凸がなく平坦性が高いので、光電変換膜内部の電界分布の均一性は改善され、画素毎の感度のばらつきや暗電流の増加を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

入射光を光電変換して電気信号を作り出す光電変換膜と、MOS(Metal-Oxide-Silicon)構造を含み且つ該電気信号を処理する素子と、該MOS構造を含み且つ該電気信号を処理する素子が形成されているシリコン基板とを有する積層型固体撮像素子において、該光電変換膜は、該シリコン基板の表面もしくは該シリコン基板の表面と同等の平坦性を有する他の表面に直接接触しており、かつ、該シリコン基板の表面もしくは該シリコン基板の表面と同等の平坦性を有する他の表面は、該光電変換膜に電圧を印加する手段の一部を構成していることを特徴とする積層型固体撮像素子。