特許
J-GLOBAL ID:200903069485350042

タンタル薄膜およびタンタルを主体とした薄膜並びにそれらの作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 東島 隆治 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-202664
公開番号(公開出願番号):特開2000-007337
出願日: 1998年06月12日
公開日(公表日): 2000年01月11日
要約:
【要約】【課題】 タンタルを含む薄膜を基板上に化学蒸着する方法を提供する。【解決手段】 蒸着チャンバ内に(i)基板と;(ii)蒸気の状態にある原料前駆体と;(iii)少なくとも1種のキャリヤガスとを導入することと、タンタルを含む薄膜を基板上に蒸着するために十分な期間、チャンバ内の基板の温度を約70°Cないし約675°Cに維持することとを包含している。原料前駆体は以下の式(I)で表される: Ta(I5-m-n-p)(Brm-p)(Cln-p)(Rp) (I)(mは0から5までの整数、nは0から4までの整数、pは0から4までの整数、Rは水素と低級アルキルとからなる群より選択される。)
請求項(抜粋):
タンタルを含む薄膜を基板上に化学蒸着する方法であって、(a)蒸着チャンバ内に:(i)基板;(ii)蒸気の状態にあって式(I): Ta(I5-m-n-p)(Brm-p)(Cln-p)(Rp) (I)(mは0から5までの整数、nは0から4までの整数、pは0から4までの整数、Rは水素と低級アルキルとからなる群より選択される)で表される原料前駆体;および(iii)少なくとも1種のキャリヤガスを導入するステップと、(b)タンタルを含む薄膜を前記基板上に蒸着するために十分な期間、前記チャンバ内の前記基板の温度を約70°Cないし約675°Cに維持するステップとを具備する方法。
IPC (6件):
C01G 35/00 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50
FI (7件):
C01G 35/00 B ,  C01G 35/00 D ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50
Fターム (32件):
4G048AA01 ,  4G048AA06 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4G048AE06 ,  4G048AE07 ,  4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA38 ,  4K030BA48 ,  4K030CA02 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030LA15

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