特許
J-GLOBAL ID：200903069486549918
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186975
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037209
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】半導体素子が発する熱を大気中に良好に放出させ、半導体素子を常に低温として長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることができる半導体装置を提供することにある。【構成】熱伝導率が2 ×10-3cal/cm・sec ・°C以上の基体1上に半導体素子2を固定し、更に前記半導体素子2の各電極を外部リード端子3に接続するとともに半導体素子2、基体1の一部及び外部リード端子3の一部を樹脂でモールドして成る半導体装置であって、前記基体1の少なくとも半導体素子2が固定される領域の下方が大気中に露出している。
請求項（抜粋）：
熱伝導率が 2×10-3cal/cm・sec ・°C以上の基体上に半導体素子を固定し、更に前記半導体素子の各電極を外部リード端子に接続するとともに半導体素子、基体の一部及び外部リード端子の一部を樹脂でモールドして成る半導体装置であって、前記基体の少なくとも半導体素子が固定される領域の下方が大気中に露出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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