電力用半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-000794
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003289
出願日： 1991年01月09日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【構成】出力用縦型MOS FET22と電流検出用縦型MOS FET21を並列に接続する。21のソースと22のソースとの間に制御用抵抗素子24を挿入する。ゲート端子Gとソース端子Sの間に制御用トランジスタ23を挿入する。21,22,23,24を同一半導体チップに集積して形成する。【効果】電流制御機能付の電力用半導体装置が得られ、電流制御用の複雑な外部回路が不要となる。

請求項（抜粋）：

半導体チップに形成された出力用縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタと、前記半導体チップに前記出力用縦型ゲート電界効果トランジスタと並列に接続して形成された電流検出用縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタと、前記半導体チップに前記電流検出用縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース電極と前記出力用縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース電極との間に挿入して形成された制御用抵抗素子と、前記半導体チップに前記出力用縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタおよび電流検出用縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタの共通ゲート電極と前記出力用縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース電極間に挿入されて形成され前記制御用抵抗素子の電圧降下に応じて開閉される電流制御素子とを有することを特徴とする電力用半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-066970
特開昭62-143450

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