特許

J-GLOBAL ID：200903069490584450

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 佐藤 英紀 ,  安藤 敏夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-235341
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079421
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 溝掘り埋込形の分離構造を有する半導体集積回路装置において、分離溝周辺の残留応力を緩和する。【解決手段】 分離溝5a内に絶縁膜5cを埋め込んだ後の熱処理において、埋込工程後から絶縁膜5cに残留する真性応力と、その熱処理によって生じる熱応力とが互いに相殺するような処理温度で熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された分離溝に分離膜を埋め込む工程後の熱処理において、分離膜の埋込工程後に分離膜に残留する真性応力と、熱処理によって分離膜に生じる熱応力とが互いに相殺し合うような温度で熱処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。