特許
J-GLOBAL ID：200903069494749799
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-236203
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085389
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 共振器端面近傍の活性層のエネルギーバンドギャップを共振器内部のエネルギーバンドギャップよりも大きくすることにより、レーザ光に対してレーザ共振器端面近傍で光吸収を防止する。レーザ素子の活性層内部での電流の拡がりが少なく、低い発振閾値電流で動作し、高効率で発振できる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【構成】 活性層の上方に応力導入層6を形成する。レーザ共振器端面近傍での応力導入層6の幅W1は、レーザ共振器中央の発光部近傍での応力導入層6の幅W2より大きく形成される。かつその応力導入層6、第2の上部クラッド層14およびキャップ層8はリッジ状に形成される。応力導入層6の下に位置する活性層3のエネルギーバンドギャップは狭くなるが、一方、応力導入層6がない活性層3のエネルギーバンドギャップは変化しないため、横方向にキャリアの閉じ込めが可能になる。その結果、活性層3内での電流の拡がりが低減され得、さらに活性層3内への電流注入効率が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上に順次積層された、下部クラッド層、活性層、第1の上部クラッド層、応力導入層、第2の上部クラッド層、およびキャップ層と、を有する半導体レーザ素子であって、レーザ共振器端面近傍での応力導入層の幅W1が、レーザ共振器中央の発光部近傍での応力導入層の幅W2より大きく形成され、かつ該応力導入層、該第2の上部クラッド層および該キャップ層がリッジ状に形成されている半導体レーザ素子。
引用特許：
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