特許

J-GLOBAL ID：200903069501967306

半導体装置およびその製造方法

発明者： 佐野 芳明 ,  定方 利正 ,  田上 康成 ,  大石橋 康雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-118988
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009165
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体基板上に形成されるMIS型コンデンサとして、窒化Si膜を誘電体材料として使用することがある。しかしながらこの誘電体材料の形成時に、誘電体膜の酸化、エッチングが成されると、コンデンサの短絡、特性劣化が生じる問題があった。【解決手段】 シリコン窒化膜43をCVDで被着したら、続けてポリシリコン44を被着する。従ってシリコン窒化膜43はポリシリコン44で覆われているため、最後まで酸化されない。またポリシリコンに不純物が導入されるため、電極として活用でき、シリコン窒化膜が露出されるようなポリシリコンのエッチングが不要となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けた下層電極と、前記下層電極上に積層された誘電体層と、前記誘電体層上に積層されたポリシリコン層と、前記ポリシリコン層上に設けた上層電極とを少なくとも有する半導体装置において、前記ポリシリコン層にヒ素が導入されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/06 101 D

Fターム (21件)：

5F038AC05 ,  5F038AC06 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AV05 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F082BA02 ,  5F082BA28 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC13 ,  5F082BC15 ,  5F082DA03 ,  5F082DA10 ,  5F082EA05 ,  5F082EA13 ,  5F082EA27

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-177454