特許
J-GLOBAL ID：200903069507309980
磁気抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-058877
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021529
出願日： 1991年03月22日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 簡易な構成で、然かも製造が容易である電気抵抗の変化率(ΔR/R)が実用上十分高い磁気抵抗素子を得る事を目的とする。【構成】 保磁力を異にする少なくとも2種の薄膜状の金属片2、3をオーミックコンタクトを介して互いに積層させて形成された単位素子5と、該単位素子に該単位素子の積層面と交差する方向に電流が流れる様に電極6、7、が形成される様に構成する。
請求項（抜粋）：
保磁力を異にする少なくとも2種の薄膜状の金属片をオーミックコンタクトを介して互いに積層させて形成された単位素子と、該単位素子に該単位素子の積層面と交差する方向に電流が流れる様に電極が形成されている事を特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
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