特許

J-GLOBAL ID：200903069508475760

量子ドット型MOSトランジスタおよびその製造方法

発明者： ドゥレオニビュス,シモン
出願人/特許権者： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-501321
公開番号（公開出願番号）：特表平11-510967
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】量子井戸MOSトランジスタ、および、その製造方法が開示されている。このトランジスタにおいては、ソース領域(92)およびドレイン領域(94)は、トンネル効果による荷電キャリアの通過が可能であるように十分に薄く形成された電気絶縁層(88、90)によって、チャネルから隔離されている。ソース領域およびドレイン領域の各々は、荷電キャリアのいかなる内部通過をも阻止できるほど十分に厚い電気絶縁層によって、基板から隔離されている。トランジスタおよびその製造方法は、マイクロエレクトロニクスデバイスを製造するに際して有効である。

請求項（抜粋）：

-半導体基板(50;100)と、-グリッド領域(71)と、-該グリッド領域の下方に配置されるとともに、該グリッド領域から電気的に絶縁された半導体チャネル(95;114;138)と、-前記グリッド領域および前記チャネルの両サイドに配置されるとともに、前記基板および前記グリッド領域から電気的に絶縁された、ソース領域(92)およびドレイン領域(94)と、を具備するMOSタイプトランジスタであって、 前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記チャネルを通っての前記ソース領域から前記ドレイン領域へのトンネル効果による荷電キャリアの通過が可能であるように各々が十分に薄く形成された電気絶縁層(88、90;116、118;124、126;142、144)によって、前記チャネルから隔離されているとともに、 前記ソース領域および前記ドレイン領域の各々は、荷電キャリアのいかなる内部通過をも阻止できるほど十分に厚い電気絶縁層によって、前記基板から隔離されていることを特徴とするMOSタイプトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/06