特許

J-GLOBAL ID：200903069510443360

電子デバイスの製造方法

発明者： 平林 英明 ,  牧野 伸顕
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108617
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305198
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 CMPによりCu埋込み配線を形成した後、BTAからなる防食被膜をSiNのような酸化防止膜を成膜する前に容易に除去して、前記酸化防止膜の成膜後の剥離を防止した電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 基板上の絶縁膜に銅系金属からなる配線を形成する工程と、前記絶縁膜の配線をベンゾトリアゾールまたはその誘導体で処理して前記配線に防食被膜を形成する工程と、前記防食被膜をアルカリ水溶液で処理して除去した後、前記配線を含む前記絶縁膜上に酸化防止膜を形成する工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁膜に銅系金属からなる配線を形成する工程と、前記絶縁膜の配線をベンゾトリアゾールまたはその誘導体で処理して前記配線に防食被膜を形成する工程と、前記防食被膜をアルカリ水溶液で処理して除去した後、前記配線を含む前記絶縁膜上に酸化防止膜を形成する工程とを具備することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/304 622

FI (5件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 616 K

Fターム (72件)：

5F033GG04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033VV15 ,  5F033XX20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL07 ,  5F110HL12 ,  5F110HL21 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19