特許
J-GLOBAL ID：200903069513437019
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229721
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211319
出願日： 1983年05月11日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 本発明はウエル構造を有する半導体装置に関し、特にα線による誤動作を効果的に抑制した半導体装置を提供することにある。【構成】 ウエル層下に低抵抗の高濃度不純物層をメッシュ状、ドット状またはバ-状等、ところどころ欠落した部分的な層に形成する。【効果】 欠落部分から電荷が基板側に流れ、α線による誤動作を効果的に抑制できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板上に形成されたウエル層と、上記ウエル層に形成されたメモリ素子と、上記半導体基板と上記ウエル層の間に設けられた上記ウエル層と同一導電型で且つ部分的に欠落部を有する、上記ウエル層より不純物濃度の高い領域とから成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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