特許
J-GLOBAL ID：200903069516289932
気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094719
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291151
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】反応ガスを反応炉容器の長手方向の一方端から導入し、反応炉容器内に設置された、略方形断面の水平流路を形成する内管の底面開口部に上下移動可能に配されるサセプタの上面側を層流状態で通過させる気相成長装置を、基板の大型化, 複数基板の一括処理のためにサセプタを大型化しても、反応炉の長手方向の長さを大きくすることなく反応ガスにサセプタ上面側を層流状態で通過させることのできる装置に構成する。【構成】反応炉容器4の反応ガス入口およびまたは反応ガス排出口を水平方向に分散して複数個設け、各反応ガス入口21, 31, 41からサセプタ2方向へ拡がるガスの各拡がり角度を層流を得るに必要な角度以下に抑えつつ全体として短い道程で全流路幅を得、あるいは、サセプタ2の位置から各反応ガス排出口24, 34, 44方向へ収斂するガスの各収斂角度を小さく抑えつつ短い道程で収斂させる。
請求項（抜粋）：
反応ガスを反応炉容器の長手方向一方端に設けられた反応ガス入口から導入し、反応炉容器内部に設置した,水平な対向2辺を流路断面の対向2辺とした略方形断面の水平流路を形成する内管内を流し、上面を被成膜面とする被成膜基板が組み付けられ前記内管の底面に設けた開口部に上下移動および軸まわり回転可能に配されたサセプタを加熱することにより、被成膜基板に成膜を行う気相成長装置において、前記反応ガス入口が、ほぼ水平方向に分散して設けられた複数個の反応ガス入口からなることを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 21/31
