特にマイクロリソグラフィのための基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：浜本忠 , 佐藤嘉明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-283612
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165629
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】EUVリソグラフィで使用することが可能なミラーおよび/またはマスクのための、先行技術における欠点の無い、新しいタイプの基板を提供する。【解決手段】EUVマイクロリソグラフィのための基板を、基層および少なくとも1層の被覆層を備え、前記基層の熱膨張係数が最大で0.1ppm/°Cであり、前記被覆層の熱膨張係数が最大で1ppm/°Cであるように構成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基層および少なくとも1層の被覆層を備え、前記基層の熱膨張係数が最大で0.1ppm/°Cであり、前記被覆層の熱膨張係数が最大で1ppm/°Cである、EUVマイクロリソグラフィのための基板。

IPC (2件)：

H01L21/027 , G02B5/08

FI (2件)：

H01L21/30 531A , G02B5/08 A

Fターム (10件)：

2H042DA08 , 2H042DA12 , 2H042DA16 , 2H042DC03 , 2H042DE00 , 5F046GB01 , 5F046GD06 , 5F046GD10 , 5F046GD16 , 5F046GD20

引用特許：

出願人引用 (8件)

DE 198 30 449A1
米国特許第6,159,643号明細書
WO 01/07967A1

全件表示

審査官引用 (2件)

特許第6387572号
特許第6453005号

前のページに戻る