特許

J-GLOBAL ID：200903069524337911

半導体素子の製造方法

発明者： 中西 史朗
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-082174
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296002
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 良好な結晶性を有するSOI構造を簡潔なプロセスで得ることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 単結晶Si基板1の表面に熱酸化法によりSiO2 膜2を約1μm形成し、さらにCVD法により非晶質Siである例えばamorphous-Si膜3を形成する。そして単結晶Si基板1の表面側のa-Si膜3とSi基台11とを接着させ、窒素雰囲気中,1100°C,2時間の熱処理を行うと、a-Si膜3はSi基台11の表面をシードとした固相成長により単結晶化して完全に接着する。その後単結晶Si基板1を研磨法により薄膜化して所望の膜厚とする。

請求項（抜粋）：

絶縁層上にSi層を形成したSOI構造を有する半導体素子の製造方法において、基台表面に形成された前記絶縁層上に非晶質Si膜を形成し、該非晶質Si膜の表面とSi基台の表面とを接合させ、熱処理を行って前記SOI構造を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-064249
  
• 特開平4-075363
  
• シリコン基板の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-222500   出願人：株式会社日立製作所