特許

J-GLOBAL ID：200903069524385967

露光方法及び露光装置

発明者： 内田 玄
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 前田 均 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-300523
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133563
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 高精度で微細なデバイスパターンを形成することである。【解決手段】 ウエハを照明光で多重露光して、ウエハ上に第1方向に沿って延びるデバイスパターン41bを形成する場合に、照明光に対してマスクを相対移動するのに同期して、ウエハを前記第1方向と直交する第2方向に移動して第1走査露光を行い、次いで、前記第1走査露光時とは逆向きにマスクとウエハとを同期移動する第2走査露光を行う。第1走査露光と第2走査露光とでは、ウエハ上でマスクのパターン41aの投影像の一部が重なるように、前記パターンの転写位置を前記第2方向にずらす。第1走査露光時と第2走査露光時の露光量はウエハに塗布されたフォトレジストの感度特性に応じた適正露光量の1/2とする。当該投影像の重畳部分が適正露光量となり、この部分がデバイスパターン41bとなる。

請求項（抜粋）：

マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に走査方式で逐次的に投影転写する露光方法において、前記感光基板の感度特性に応じた適正露光量よりも少ない露光量で同一のマスクのパターンの像を複数回重ね合わせて転写することを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/22

FI (4件)：

H01L 21/30 514 A ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/22 H ,  H01L 21/30 518

Fターム (36件)：

5F046AA13 ,  5F046BA05 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046CB01 ,  5F046CB03 ,  5F046CB05 ,  5F046CB12 ,  5F046CB13 ,  5F046CB22 ,  5F046CB23 ,  5F046CB25 ,  5F046CC01 ,  5F046CC02 ,  5F046CC03 ,  5F046CC05 ,  5F046CC06 ,  5F046CC13 ,  5F046CC16 ,  5F046CC18 ,  5F046DA01 ,  5F046DA02 ,  5F046DA14 ,  5F046DB01 ,  5F046DB05 ,  5F046DC02 ,  5F046DC09 ,  5F046DC12 ,  5F046EA03 ,  5F046EA09 ,  5F046EA13 ,  5F046EB01 ,  5F046EB03 ,  5F046ED02 ,  5F046FC04 ,  5F046FC06