特許
J-GLOBAL ID：200903069525543221
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176701
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046073
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 高出力動作時の放熱性に優れ、かつ高周波特性に優れた半導体装置を容易に得ることを目的とする。【構成】 金属ベース部材1上に接着された、その表面に入出力取り出し用メタライズ5を備えた開口部を有する下部セラミック6と、この下部セラミック6上に配置された開口部を有する上部セラミック7と、該上部セラミック7上に配置されたシールリング8と、上記下部セラミック6と上部セラミック7の開口部の、上記入出力端子取り出し用メタライズ5と平行な内側壁に、上記ベース1と電気的に接続されるよう形成したメタライズ9と、上記下部セラミック6と上部セラミック7の開口部内の上記ベース1上に載置された半導体素子20と、上記シールリング8上に上記下部セラミック6と上部セラミック7の開口部を気密封止するよう接着された気密封止用カバー4により半導体装置を構成した。
請求項（抜粋）：
金属材料からなるベース部材上に接着された、第1の開口部を有するセラミックからなる第1の側壁部材と、該第1の側壁部材上に形成された入出力端子取り出し用メタライズと、上記第1の開口部よりも大きい第2の開口部を有し、上記第1の側壁部材上,および上記入出力端子取り出し用メタライズ上に、上記第2の開口部内に上記第1の開口部が配置されるよう接着された、セラミックからなる第2の側壁部材と、上記入出力端子取り出し用メタライズと電気的に接続されないよう、かつ上記ベース部材と電気的に接続されるように、上記第1及び第2の開口部の内側壁に、当該内側壁を覆うように配設された金属物と、上記第1の開口部内のベース部材上に載置され、その入出力端子が上記入出力端子取り出し用メタライズと接続され、かつその接地端子が上記ベース部材と接続された半導体素子と、上記第2の側壁部材上に、上記内側壁に配設された金属物と電気的に接続され、上記第2の開口部を封止するように接着された気密封止用カバーとを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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