特許
J-GLOBAL ID：200903069527156608

半導体レーザ素子の駆動方法および半導体レーザ装置

発明者：
中原 宏治

中原 宏治 について


出願人/特許権者：
日本オプネクスト株式会社

日本オプネクスト株式会社 について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-156344
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302365
出願日： 2008年06月16日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】従来の半導体レーザ装置とその駆動方法では、レーザ非発振時の自然放出光の大きさと発振時の発振遅延時間の大きさの双方を低減することが困難であった。特に高光出力を出すために共振器長を長くした半導体レーザでは、特にこの点が問題となっていた。【解決手段】活性層の一部の領域に電流が注入できる電極5と残りの他の活性層領域に電流を注入できる電極6を有する半導体レーザ4、電極5に電流を流すレーザ駆動回路2、電極6に電流を流すレーザ駆動回路3とレーザ駆動回路2,3を制御する制御回路1から構成される。光出力を出す場合には電極5への電流注入を電極6の電流注入に対して先行させ、光出力を0にする場合には電極5への電流を等価的なしきい電流以下に減少させ、電極6の電流を等価的なしきい電流未満に減少させるレーザ駆動方法と半導体レーザ装置に達成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
制御回路を備えた半導体レーザの駆動方法であって、 前記半導体レーザは、共振器構造と、該共振器構造内に設けられ光を導波し該共振器構造により共振させる光導波路構造と、該光導波路構造内に設けられた活性層と、該活性層の一部領域へ電流を注入する第1の電極と、前記活性層の他領域へ電流を注入する第2の電極とを有し、主たる光出力が前記第2の電極側の前記光導波路構造の端面から出射されるものにおいて、 前記半導体レーザの光出力のレベルを、前記第1の電極へ注入される電流値で制御すると共に、前記光出力の発光のタイミングを、前記第2の電極へ注入される電流値で制御する ことを特徴とする半導体レーザ素子の駆動方法。
IPC (4件)：
H01S 5/062 ,  H01S 5/22 ,  G02B 26/10 ,  G03B 21/00
FI (4件)：
H01S5/0625 ,  H01S5/22 ,  G02B26/10 C ,  G03B21/00 Z
Fターム (20件)：
2H045BA12 ,  2H045BA24 ,  2K103AA29 ,  2K103AB05 ,  2K103AB06 ,  2K103BA02 ,  2K103BA13 ,  5F173AA08 ,  5F173AF25 ,  5F173AG17 ,  5F173AH06 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AK21 ,  5F173SA17 ,  5F173SA34 ,  5F173SC10 ,  5F173SE02 ,  5F173SG04 ,  5F173SG09
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM