特許
J-GLOBAL ID：200903069528444674
バイポ-ラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063448
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267311
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】コレクタ層と半導体基板との接合容量を小さくし、バイポ-ラトランジスタの高速動作を達成する。【構成】半導体基板1上に形成されるコレクタ層は、単結晶シリコンカ-バイト層2と、このシリコンカ-バイト層2上に形成され、シリコンカ-バイトのエネルギ-ギャップよりも小さいエネルギ-ギャップを有する単結晶シリコン層3と、このシリコン層3上に形成され、シリコンのエネルギ-ギャップよりも大きいエネルギ-ギャップを有する単結晶シリコンカ-バイト層4とから構成される。そして、シリコンカ-バイト層2の厚さは、半導体基板1との接触により生じる空乏層が当該シリコンカ-バイト層2の表面まで達しないように、前記空乏層の厚さよりも大きく設定される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されるコレクタ層を有し、前記コレクタ層は、少なくとも前記半導体基板上に形成される第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体層のエネルギ-ギャップよりも小さいエネルギ-ギャップを有する第1導電型の第2の半導体層とから構成されていることを特徴とするバイポ-ラトランジスタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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