特許

J-GLOBAL ID：200903069532311522

ドライエッチング方法

発明者： 山口 直志 ,  柳 義弘 ,  森田 雅史
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 岡崎 謙秀 ,  西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-078753
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288863
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】高融点金属をドライエッチング処理を行う場合、大量でかつ化学的結合力が強固な反応生成物が被処理基板に付着する。【解決手段】ドライエッチング処理において、プロセスガスにて所望のエッチングを行った後、放電を維持したまま非プロセスガスと置換することによって反応生成物を気相状態のまま排気することにより、反応生成物の被処理基板への付着を防止する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

プロセスガスが導入される真空容器内にプラズマソースより高周波電力を印加し放電することでプラズマを励起させ、前記真空容器内の電極上に載置された被処理基板に対して、エッチング処理を施すドライエッチング方法であって、前記プロセスガスで前記被処理基板をエッチングする第一工程と、前記第一工程の放電を継続したまま、前記プロセスガスから非プロセスガスに連続的に置換する第二工程と、前記非プロセスガスにより一定時間、放電を維持させ、反応生成物を気相状態のまま排気する第三工程とを有し、反応生成物の非処理基板への堆積を防止することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  C23F4/00

FI (2件)：

H01L21/302 106 ,  C23F4/00 A

Fターム (20件)：

4K057DA01 ,  4K057DA16 ,  4K057DB08 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM05 ,  4K057DM38 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004CA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-120150   出願人：新日本製鐵株式会社
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-330161   出願人：東京エレクトロン株式会社
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-145336   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 高融点金属膜のドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-273352   出願人：日本電気株式会社