特許

J-GLOBAL ID：200903069533028506

薄膜の形成方法および半導体装置

発明者： 赤堀 孝 ,  谷原 聡
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-271024
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047707
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【構成】 マイクロ波による電界と周囲に配設された励磁コイルによる磁界との作用によってプラズマ生成室でのプラズマを生成させ、前記生成させたプラズマを反応室に導入して試料台に載置された試料に薄膜を形成する方法において、Ar、H2およびN2ガスを前記プラズマ生成室に導入する一方、金属系ガスを前記反応室に導入することにより前記試料上に金属窒化物膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。【効果】 コンタクトホール部にステップカバレジに優れた薄膜を形成することができ、しかもコンタクトホール側壁部には底部よりも薄く成膜させることができる。従って後工程における配線材料の埋め込みを確実なものとしてLSIデバイスの信頼性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

マイクロ波による電界と周囲に配設された励磁コイルによる磁界との作用によってプラズマ生成室でプラズマを生成させ、前記生成させたプラズマを反応室に導入して試料台に載置された試料に薄膜を形成する方法において、Ar、H2およびN2ガスを前記プラズマ生成室に導入する一方、金属系ガスを前記反応室に導入することにより前記試料上に金属窒化物膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/285

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-093072
  
• 特開平1-264258
  
• 特開昭52-071174