特許
J-GLOBAL ID：200903069541664748
セラミツクス成形体の離型性向上方法及び成形型
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288902
公開番号（公開出願番号）：特開平5-124024
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：
【要約】【目的】ゲル状のセラミックス成形体の離型時における剥離欠陥を低減した離型性向上方法を提供すること。【構成】ポリエチレン樹脂粉末を含む窒化珪素系スラリーを混練して摩擦帯電させた帯電スラリーを用いる。成形型4の絶縁層42、43で区画されたキャビティにその帯電スラリーをガス圧で注入し、冷却して固化させ、正に帯電したゲル状の成形体6を得る。その後、下型41を高電圧発生装置8の正極側に接続し、下型41側が正極となる電界を発生させる。成形体6は正に帯電しているので、静電反発現象が生じ、成形体6の下面60は下型41の型面41aから離型される。その後、上型40を高電圧発生装置8の正極側に接続し、上型40側が正極となる電界を発生させる。静電反発現象により、成形体6の上面61は上型40の型面40aから離型される。
請求項（抜粋）：
セラミックススラリーを成形型のキャビティに注入し、帯電した成形体を得る成形工程と、該成形体の極性と反対の極性をもつ電界を生じさせ、該成形体を該成形型から離型する際に、静電反発を生じさせる離型工程とを順に実施することを特徴とするセラミックス成形体の離型性向上方法。
IPC (3件)：
B28B 7/40
, B28B 13/06
, B28C 1/02
