特許
J-GLOBAL ID:200903069544908079

水素吸蔵合金およびその製造方法と二次電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 均 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-070093
公開番号(公開出願番号):特開2000-265235
出願日: 1999年03月16日
公開日(公表日): 2000年09月26日
要約:
【要約】【課題】 実用範囲内のプラトー圧を持ち、水素吸蔵および放出特性に優れ、初期活性化温度が低く、粉砕が容易で、成形性に優れた水素吸蔵合金およびその製造方法と、その水素吸蔵合金を負極として用いた二次電池を提供すること。【解決手段】 Vを主成分に一般式Vx Tia Nib Zrc で表される水素吸蔵合金であって、V、Ti、NiおよびZrの原子パーセント比を示すx、a、bおよびcが、85≦x<98(好ましくは90≦x<98)、0 請求項(抜粋):
Vを主成分に一般式Vx Tia Nib Zrc で表される水素吸蔵合金であって、V、Ti、NiおよびZrの原子パーセント比を示すx、a、bおよびcが、85≦x<98、0 IPC (12件):
C22C 27/02 101 ,  B22F 9/04 ,  C22C 1/00 ,  C22F 1/00 641 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 687 ,  C22F 1/02 ,  C22F 1/18 ,  H01M 4/38 ,  H01M 8/04 ,  H01M 10/30
FI (12件):
C22C 27/02 101 Z ,  B22F 9/04 D ,  C22C 1/00 N ,  C22F 1/00 641 A ,  C22F 1/00 661 C ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 687 ,  C22F 1/02 ,  C22F 1/18 G ,  H01M 4/38 A ,  H01M 8/04 J ,  H01M 10/30 Z
Fターム (31件):
4K017AA04 ,  4K017BA07 ,  4K017BB06 ,  4K017BB09 ,  4K017CA06 ,  4K017DA09 ,  4K017EA05 ,  4K017EA09 ,  4K017EK07 ,  4K017FA01 ,  4K017FB02 ,  5H003AA01 ,  5H003AA04 ,  5H003BA01 ,  5H003BA04 ,  5H003BB02 ,  5H003BC01 ,  5H003BD00 ,  5H003BD01 ,  5H003BD03 ,  5H003BD06 ,  5H027AA02 ,  5H027BA14 ,  5H028AA01 ,  5H028BB05 ,  5H028BB15 ,  5H028EE01 ,  5H028HH00 ,  5H028HH01 ,  5H028HH03 ,  5H028HH08

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