特許

J-GLOBAL ID：200903069545002286

低温度係数フェライト磁心及び電子部品

発明者： 樋口 豊 ,  上田 等
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308955
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148115
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【目的】 従来の低温度係数フェライト磁心では、μiが1,000以下の低いものが多く、温度特性を重要とする電子部品では小型化が遅れていた。【構成】 Mn-Zn系フェライト磁心において、μiが2,500以上で、広い温度範囲(-20〜100°C)でμiの変化率が小さい(±10%以下)低温度係数フェライト磁心。また、μiの温度特性のセカンダリーピークを-20〜10°Cに設定した低温度係数フェライト磁心である。

請求項（抜粋）：

Mn-Zn系フェライト磁心において、初透磁率2,500〜5,000を有し、20°Cの初透磁率を基準とした-20〜100°Cにおける初透磁率の変化率(温度範囲内の最大値、または最小値との差)が±10%以下であることを特徴とする低温度係数フェライト磁心。

IPC (4件)：

H01F 1/34 ,  C04B 35/38 ,  H01F 30/00 ,  H01F 37/00

FI (4件)：

H01F 1/34 B ,  H01F 37/00 A ,  C04B 35/38 Z ,  H01F 31/00 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-305905
  
• 高透磁率Mn-Zn系フェライト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-070988   出願人：日立フェライト株式会社
• 特開昭61-050311