特許
J-GLOBAL ID：200903069549653729
多層配線構造の半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218600
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045460
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 層間絶縁膜の信頼性を高め、製造歩留まりを高める。【構成】 半導体素子が形成されたシリコン基板2上に絶縁膜4を介して第1層目メタル配線6が形成され、配線6上にはPSG膜などの主絶縁膜8が被覆され、主絶縁膜8上には窒化シリコン膜の保護絶縁膜10が被覆されている。保護絶縁膜10上には第2層目のメタル配線12が形成されている。保護絶縁膜10が層間絶縁膜の耐湿性を高め、スルーホール形成時の耐エッチング保護膜となる。
請求項（抜粋）：
少なくとも2層の配線を有し、その2層配線間の層間絶縁膜は主絶縁膜上に保護絶縁膜が積層された2層構造のものであり、前記保護絶縁膜はスルーホール形成時のエッチング速度が主絶縁膜よりも小さくなる材質のものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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