特許

J-GLOBAL ID：200903069551643544

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 齋藤 清雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266388
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120533
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】光入射側に設けられる透明電極層の高いシート抵抗によるロスを回避できる薄膜太陽電池を複雑なパターニング工程なしで製造する。【構成】透光性絶縁基板1を分散して貫通する複数の接続導体ピン7を用いてその基板側の透明電極層2全面と光入射面と反対側に設けられた取出し電極層としての導電性シート6とを接続することにより、透明電極層2を通る径路を短くして電流を外部端子9へ取出すことができる。さらにこの貫通導体の挿入される穴8は、基板1をアモルファス半導体層3の取付けのために利用でき、その取付けねじ16の頭部を透明電極層2と貫通導体の接続のための取出し電極9のマスクとして有効に利用する。

請求項（抜粋）：

透光性絶縁基板上に透明導電材料よりなる第一電極層、光電変換活性層としてのアモルファス半導体層、導電材料よりなる第二電極層、絶縁層および導電材料よりなる取出し電極層が積層され、アモルファス半導体層および第二電極層は分散して明けられた複数の貫通孔に遊挿されて第一電極層および取出し電極層にそれぞれ接続される貫通導体を備え、第二電極層および取出し電極層にそれぞれ外部端子が設けられたことを特徴とする薄膜太陽電池。