拡散接合スパッターターゲットアセンブリとそれを製造する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新部興治 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-592462
公開番号（公開出願番号）：特表2002-534604
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2002年10月15日
要約：

【要約】低温拡散接合法と、該方法によって接合されたターゲット/バッキングプレートアセンブリとを開示する。この方法によれば、銅および/またはコバルトターゲット(12)が、Ib族またはVIII族金属から成るグループから選択される中間層(14)の使用により、バッキングプレート(16)に接合される。中間層(14)はターゲット(12)とバッキングプレート(16)の、接合を意図する表面の間に配置され、アセンブリ(10)が約190〜400°Cの低温で拡散接合される。この方法により、接合アセンブリの引張り強さが向上するが、一方、銅ターゲットの場合、望ましくない結晶粒成長が起らない。本発明によりコバルトターゲットを接合する場合、望ましい磁気的性質たとえば貫通磁束が維持される一方、強い接合が実現される。

請求項（抜粋）：

接合されたスパッターターゲット/バッキングプレート組合せを製造する方法であって、(a)CuおよびCoならびにこれらの合金から成るグループから選択される金属から成り、接合表面を有するターゲットを作り、(b)AlおよびCuならびにこれらの合金から成るグループから選択される金属から成り、接合表面を有するバッキングプレートを作り、(c)前記ターゲットとバッキングプレートとを、前記ターゲットの接合表面と前記バッキングプレートの接合表面とが互いに隣接するように配置し、(d)前記ターゲットと前記バッキングプレートとの前記接合表面の間に、Ib族およびVIII族金属ならびにこれらの合金から選択される金属から成る接合中間層を設けてアセンブリを製造し、(e)前記アセンブリを、前記ターゲットとバッキングプレートとを拡散接合するために、温度・圧力条件下で圧縮し、前記温度が約190〜約400°Cの範囲にある、ことから成ることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/34 C , C23C 14/34 A , H01L 21/285 S

Fターム (10件)：

4K029BA06 , 4K029BA08 , 4K029BA21 , 4K029BA24 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 4K029DC22 , 4M104BB04 , 4M104DD40

前のページに戻る