半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-229538
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074348
出願日： 1995年09月06日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【目的】昇圧レベルシフタを具備した多電源ICにおいて低電圧電源(VDDL)をオフ状態にしても電源間にリーク電流の流れない半導体装置を供給する。【構成】昇圧回路102内にPchトランジスタ110とNchトランジスタ111で構成される制御回路を具備し、制御(CNT)信号により昇圧回路が制御されている回路構成。これにより、VDDL電源をオフした場合においてもCNT端子にVSS電位を供給することにより、Nchトランジスタ111がオフする為、IN端子とB点の電位がVDDL電位からVSS電位の間の中間電位となっても、VDDH電源、VSS電源間に電流が流れることはない。【効果】制御信号により低電圧電源がオフ状態の時には、昇圧回路を停止状態にできるため低電圧電源をオフ状態にすることができ、低消費電流の半導体装置を作成できるという効果がある。

請求項（抜粋）：

第1の電位の第1の電源端子と接地電位の第2の電源端子との間に接続された第1のインバータと、前記第1のインバータの入力信号及び出力信号とに基づき動作する第2の電位の第3の電源端子と前記第2の電源端子ととの間に接続された昇圧回路と、前記昇圧回路の出力信号が入力され前記第2の電位で動作する第2のインバータとを備え、前記昇圧回路と前記第2または前記第3の電源端子との間に昇圧回路の動作を制御するスイッチを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H03K 19/0185 , H03K 19/00 , H03K 19/0944

FI (3件)：

H03K 19/00 101 E , H03K 19/00 A , H03K 19/094 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

レベル変換回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-043345 出願人：日本電信電話株式会社
レベルシフト回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-296900 出願人：日本電気株式会社
高速レベルシフト回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-152378 出願人：セイコーエプソン株式会社

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