特許
J-GLOBAL ID：200903069566107444
pn接合型発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-286741
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129656
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 2種類の青色発光をする2種類のp層を積層し各層による発光を独立に行って、再現性、制御性を良くし、発光ピーク波長を制御可能にして、ピーク波長の純粋な青色発光で高輝度化を達成する。【構成】 拡散距離内にアクセプタ不純物のみを添加した第1のp型層30と、アクセプタ不純物及びドナ不純物を添加した第2のp型層40とを積層して構成される。これらの2層のp型層30及び40による発光が加わって、460〜470nmを波長とする純粋な青色で高輝度の青色発光ダイオード100が得られる。各層による発光が独立に行われ、層厚と各層へのアクセプタとドナの添加量を制御することにより、再現性、制御性良く、発光ピーク波長を制御できる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素を用いたpn接合型発光ダイオードであって、発光に関与するpn接合を構成しドナ不純物が添加されたn型層と、該n型層に隣接して形成され電子の拡散長より薄くして実質的にアクセプタ不純物のみが添加された第1のp型層と、該第1のp型層上に形成され、該アクセプタ不純物と該ドナ不純物の両方が添加された第2のp型層と、を有し、該n型層より注入してきた電子が第1のp型層内と第2のp型層内の両方でホールと再結合することにより、該アクセプタ不純物が関与する発光と、ドナー・アクセプタ対発光との両方を利用したpn接合型発光ダイオード。
IPC (2件)：
引用特許：
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