特許

J-GLOBAL ID：200903069573739774

窒化物系半導体発光素子とその製造方法

発明者： 山本 健作 ,  小出 典克
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-374240
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174194
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 基板の両主面側のそれぞれに電流注入用電極が形成された窒化物系半導体発光素子の動作電圧を低減する。【解決手段】 窒化物系半導体発光素子は、導電性半導体基板101の第1主面上に形成された高抵抗または絶縁性の中間層102と、その上で順に積層された第1導電型窒化物半導体層103、106と発光層107と第2導電型層108、109を含み、中間層に接する第1導電型層を導電性基板に接続するように中間層を貫通または迂回する金属膜104と、第2導電型層109上に形成された第1電極110、111と、導電性基板の第2主面上に形成された第2電極112をさらに含み、中間層102で発生する電圧降下を金属膜104で回避することによって動作電圧が低減されている。

請求項（抜粋）：

第1と第2の主面を有する導電性半導体基板と、前記基板の第1主面上に形成された高抵抗または絶縁性の中間層と、前記中間層上に形成されていてAl<SB>x</SB>B<SB>y</SB>In<SB>z</SB>Ga<SB>1-x-y-z</SB>N(0<x≦1、0≦y<1、0≦z≦1、x+y+z=1)からなる複数の窒化物半導体層とを含み、前記複数の窒化物半導体層は、前記中間層上で順に積層された少なくとも一の第1導電型層と発光層と少なくとも一の第2導電型層を含み、前記中間層に接する前記第1導電型層を前記導電性基板に接続するように前記中間層を貫通または迂回する金属膜と、前記第2導電型層上に形成された第1電極と、前記基板の第2主面上に形成された第2電極をさらに含み、前記中間層で発生する電圧降下を前記金属膜で回避することによって動作電圧が低減されていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 H

Fターム (26件)：

4M104AA01 ,  4M104AA04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF02 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041AA08 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041FF11