特許

J-GLOBAL ID：200903069574407953

電流を伝える基準層を有する磁気メモリデバイス

発明者： トーマス・アンソニー
出願人/特許権者： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-293901
公開番号（公開出願番号）：特開2005-117047
出願日： 2004年10月06日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】電流を増大せずにセンス層における磁界強度を高めること。【解決手段】磁気メモリセル(48/148)の一実施形態は、第1の線(52/177)と、その第1の線(52/177)と電気的に連絡するセンス層(72/172)とを含む。基準層線(58/158)が、センス層(72/172)から受け取られるセンス電流(84/184)を伝えるように構成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

磁気メモリセル(48/148)であって、 第1の線(52/177)と、 前記第1の線(52/177)と電気的に連絡するセンス層(72/172)と、及び 前記センス層(72/172)から受け取られるセンス電流(84/184)を伝えるように構成された基準層線(58/158)とを含む、磁気メモリセル(48/148)。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 130

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6,259,644号
  
• 米国特許出願第10/283,559号
  

審査官引用 (2件)

• 磁気ランダムアクセスメモリ装置および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-104074   出願人：三菱電機株式会社
• 導体を埋め込まれた磁気的に軟らかい基準層を含む磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-273428   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー