不揮発性半導体記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262227
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112443
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】消費電力の増大を伴うことなく、データ書込み/書込みベリファイ読出し動作の所要時間を短くできるNANDセル型EEPROMを提供すること。【構成】半導体基板に電荷蓄積層と制御ゲートを有する不揮発性メモリセルを配列したセルアレイ1と、このセルアレイ1のワード線方向の端部に設けられて制御ゲートを駆動するロウデコーダ5と、セルアレイ1の所定範囲のメモリセルに単位書込み時間を設定してデータ書込みを行った後、そのメモリセル・データを読出して書込み不十分のメモリセルがある場合に再書込みを行うベリファイ制御回路とを備えたEEPROMにおいて、書込みベリファイ動作時に、ロウデコーダ5のうち、メモリセル1のトランジスタと逆導電型のトランジスタを形成したウェルに印加する電圧を電源電圧より高い電圧とし、データ書込み動作から書込みベリファイ読出し動作に変わる時に、この電圧を低下させないことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に電荷蓄積層と制御ゲートが積層形成され、電荷蓄積層と基板の間の電荷の授受により電気的書替えが行われるメモリセルが配列形成されたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイのワード線方向の一端部若しくは両端部に設けられ、前記メモリセルアレイが形成されたウェルと逆極性の複数のウェル上に形成された素子を含むロウデコーダと、前記メモリセルアレイの所定範囲のメモリセルに単位書込み時間を設定して同時にデータ書込みを行った後、そのメモリセル・データを読出して書込み不十分のメモリセルがある場合に再書込みを行うベリファイ制御手段とを備え、書込みベリファイ動作時に前記逆極性のウェルのうち少なくとも一つに印加される電圧が電源電圧より高い電圧であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , G11C 16/06 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 , G11C 17/00 309 A , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-295098
特開平3-295098
特開平2-187997

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