特許

J-GLOBAL ID：200903069587939326

処理装置

発明者： 島津 知久 ,  本間 謙治 ,  中村 誠
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145941
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321532
出願日： 1997年05月20日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 縦型の反応容器の下端を蓋体で塞ぎ、この蓋体の中を貫通する回転軸により反応容器内のウエハボートを回転させる縦型熱処理装置において、回転軸の軸穴を磁気シール部で気密にシールするにあたり、減圧CVD時に磁性流体からの脱ガスの反応容器内への流出を抑えること。更に減圧CVDと酸化処理とを兼用する場合にHClガスによる回転機構の腐食を防止する。【解決手段】 軸穴6における磁気シール部7よりも反応容器側に排気路81を接続し、この排気路81を通じて軸穴6を真空排気する。このときガス供給路82を介して軸穴6に例えば窒素ガスを供給すれば、反応副生成物の付着も防止できる。また酸化処理時にはガス供給路82からパージ用ガスを供給し、軸穴6へのHClガス等の侵入を防止する。

請求項（抜粋）：

真空雰囲気下で成膜ガスを用いて被処理体を成膜処理するための反応容器内に、軸穴を通じて駆動軸を貫通してなる処理装置において、前記軸穴に設けられた軸受部と、この軸受部よりも反応容器側に設けられ、軸穴の内壁と駆動軸とのあいだをシールするシール部と、このシール部よりも反応容器側の軸穴の内壁に接続された排気路と、この排気路を介して当該軸穴を真空排気するための真空排気手段と、を備えたことを特徴とする処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 R