特許

J-GLOBAL ID：200903069589638668

鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： 久原 隆 ,  舛田 松夫 ,  常盤 剛 ,  田中 久裕
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114469
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307046
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 環境有害汚染物質である鉛を含まない、半田濡れ性、接合強度特性の良い電子部品用リードフレームを用いた半導体装置及び半導体装置製造方法を提供する。【解決手段】 本発明はニッケル又はニッケル合金、銅又は銅合金系及び鉄又は鉄合金で形成されるリードフレームにおいて、インナーリード部に銀又は銀を含む合金の表面処理層を設けかつ、アウターリード部に少なくとも、光沢度が0.6以上で、銀と(220)面の結晶配向指数が1.5以上5以下であり、(211)面の結晶配向指数が0.9以下であり、かつ、(200)面の結晶配向指数が0.5以上である体心正方構造の錫を含む合金の表面処理層を形成し解決される。

請求項（抜粋）：

ニッケル又はニッケル合金、銅又は銅合金系及び鉄又は鉄合金で形成されるリードフレームにおいて、インナーリード部に銀又は銀を含む合金の表面処理層を設けかつ、アウターリード部に少なくとも、光沢度が0.6以上で、銀と(220)面の結晶配向指数が1.5以上5以下であり、(211)面の結晶配向指数が0.9以下であり、かつ、(200)面の結晶配向指数が0.5以上である体心正方構造の錫を含む合金の表面処理層を設けた事を特徴とするリードフレームを用いた半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  C25D 7/00

FI (2件)：

H01L 23/50 D ,  C25D 7/00 G

Fターム (27件)：

4K024AA01 ,  4K024AA10 ,  4K024AA12 ,  4K024AA16 ,  4K024AA21 ,  4K024AA24 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024AB04 ,  4K024AB08 ,  4K024AB19 ,  4K024BA01 ,  4K024BA02 ,  4K024BA09 ,  4K024BB09 ,  4K024BC01 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024GA07 ,  5F067AA13 ,  5F067DC16 ,  5F067DC17 ,  5F067EA02 ,  5F067EA04 ,  5F067EA05