特許
J-GLOBAL ID：200903069591751188
窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法及び素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-365123
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186605
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】p型窒化ガリウム系化合物半導体に対する電極の接合強度及び表面平滑性の改善【解決手段】GaN のn+ 層13、n型GaN のクラッド層14、発光層15、Mgの添加されたAlGaN のクラッド層16、Mgの添加されたGaN のコンタクト層17、Ptの透光性電極18A、電極18Bを有する発光素子の製法である。n+ 層13の上側にある層の一部をエッチングして、n+ 層13の表面を露出させ、コンタクト層17上にPtの透光性電極18Aを形成し、n+ 層13の露出面に電極18Bを形成し、少なくとも酸素を含むガス中において、500〜600°Cの範囲で熱処理し、p型低抵抗化と電極の合金化処理を同時に行う。接合強度と表面の平滑性の良好な電極が得られる。
請求項（抜粋）：
p型窒化ガリウム系化合物半導体の電極を形成する方法において、p型不純物の添加された窒化ガリウム系化合物半導体の上に白金(Pt)を形成し、少なくとも酸素を含むガス中において、熱処理することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 29/46 B
