特許
J-GLOBAL ID：200903069592075798
単結晶の育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小平 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253626
公開番号（公開出願番号）：特開平7-082088
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月28日
要約：
【要約】【目的】 結晶育成中にクラックが発生することなく歩留りの向上を図ると共に、基板材料等としての加工のコストを安価にする。【構成】 EFG法による単結晶の育成方法であって、NdGaO3 を主成分とした原料融液を入れてあるルツボ1内にスリット3を設けた型4を入れ、そのスリットを通して上昇した型上面の融液2に種結晶5を付け、型上面の形状に合った結晶を育成する。
請求項（抜粋）：
融液を入れてあるルツボ内にスリットを設けた型を入れ、上記スリットを通して上昇した型上面の融液に種結晶を付け、型上面の形状に合った結晶を育成する方法であるEFG(Edge-defined Film-fed Growth)法において、原料融液がNdGaO3 を主成分としたことを特徴とする単結晶の育成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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