特許
J-GLOBAL ID：200903069603820563
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095641
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298035
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 静電気保護用の素子を組み込んでも装置の嵩を小さく抑えることができるとともに良好な発光が得られる半導体発光装置の提供。【解決手段】 静電気保護用のSiダイオード素子8をリードフレームや基板等の基材の搭載面に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子1をSiダイオード素子8の上面にp側及びn側の電極3,2を導通させて搭載し、半導体発光素子1の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、Siダイオード素子8には、基材と半導体発光素子1との間の導通路を形成するn型半導体領域8aとp型半導体領域8bとを備え、これらの半導体領域8a,8bを半導体発光素子1及び基材に接合し、ワイヤボンディングが不要なアセンブリとする。
請求項（抜粋）：
静電気保護素子をリードフレームや基板等の基材の搭載面に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子を前記静電気保護素子の上面にp側及びn側の電極を逆極性で導通させて搭載し、前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、前記静電気保護素子は、前記基材と半導体発光素子との間の導通路を形成するn型半導体領域とp型半導体領域とを備え、これらの半導体領域をn側及びp側の電極を介して前記半導体発光素子及び基材に接合してなる半導体発光装置。
引用特許：
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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