特許

J-GLOBAL ID：200903069607895843

基板冷却装置

発明者： 中川 行人
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339325
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161696
出願日： 1993年12月04日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 基板冷却装置において、静電吸着のための高電圧に起因する冷却用ガスの絶縁破壊の防止し、冷却効率を高めかつ信頼性の向上する。【構成】 静電吸着力を発生させる直流高電圧を印加するための電極1と、静電吸着力により被処理基板4を固定する基板載置台2と、この基板載置台を冷却する冷却機構5と、被処理基板と基板載置台との間の隙間部分に冷却用ガスを導入するガス供給機構とを備えるものであり、前記ガス供給機構が、ヘリウムを供給するためのヘリウム供給系7,8,9 と、ヘリウムに絶縁耐力の大きいガスを混合させるための他のガス供給系7,10,11 とからなり、ヘリウムと絶縁耐力の大きいガスの混合比および供給圧力を制御する機構9,11を備える。

請求項（抜粋）：

静電吸着力を発生させる直流高電圧を印加するための電極と、前記静電吸着力により被処理基板を固定する基板載置台と、この基板載置台を冷却する冷却機構と、前記被処理基板と前記基板載置台との間の隙間部分に冷却用ガスを導入するガス供給機構とを備えた基板冷却装置において、前記ガス供給機構は、ヘリウムを供給するためのヘリウム供給系と、前記ヘリウムに絶縁耐力の大きいガスを混合させるための他のガス供給系とからなり、前記ヘリウムと前記絶縁耐力の大きいガスの混合比および供給圧力を制御する機構を備えたことを特徴とする基板冷却装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-308529
  
• 被処理体の温調装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-352073   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
• 特開平2-308529