特許

J-GLOBAL ID：200903069611120139

半導体熱処理装置

発明者： 宮崎 伸治 ,  深澤 雄二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069249
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226346
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】第1の目的は、半導体熱処理装置を用いて所望の膜を生成するに当たり、被処理基板面に成長している自然酸化膜を、該装置の反応炉内で除去した後、そのままの状態で成膜できる機構を提供し、第2の目的は、水素ガスを使用する熱処理装置において、水素ガスの使用量を削減できる機構を提供することである。【構成】本発明は、無機水素化物を材料ガスとする反応炉または水素ガスを用いて熱処理を行なう反応炉と、該反応炉の排気経路の一部に設けられ水素ガスを吸蔵及び放出可能なトラップと、該反応炉から排出される水素ガスを前記トラップに吸蔵する経路と、前記トラップに吸蔵された水素ガスを該反応炉に放出する経路とを具備する半導体熱処理装置を主内容とする。

請求項（抜粋）：

無機水素化物を材料ガスとする反応炉と、該反応炉と排気機構とを連結する排気経路の一部に設けられ水素ガスを吸蔵及び放出可能なトラップと、該反応炉で分解発生する水素ガスを前記トラップに吸蔵する経路と、前記トラップに吸蔵された水素ガスを該反応炉に放出する経路とを具備することを特徴とする半導体熱処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/324 ,  C21D 1/76 ,  C23C 14/56 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-026663
  
• 特開昭61-270329