圧電/電歪膜型素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島三千雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-241172
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107238
出願日： 1994年10月05日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】セラミック基体のダイヤフラム部の外面上に圧電/電歪作動部が膜形成法により形成されてなる圧電/電歪膜型素子において、該ダイヤフラム部が圧電/電歪層の焼結性に及ぼす影響を改善し、焼結性(緻密度)の高い圧電/電歪層を有する、信頼性の高い素子及びそれを有利に製造し得る手法を提供する。【構成】圧電/電歪層14が、結晶粒径が0.7μm以上で、気孔率(x)が15%以下の緻密体にて構成され、且つ窓部6の中心を通る最短寸法に対するダイヤフラム部10の中央部付近の撓み量を百分率にて表した撓み率(y)が0〜8%の範囲内にあり、且つそれら気孔率(x)と撓み率(y)とが、式:y≦0.1167x2 -3.317x+25.5を満足するように構成した。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの窓部を有すると共に、該窓部を覆蓋するように、薄肉のダイヤフラム部を一体に設けてなるセラミック基体と、該ダイヤフラム部の外面上に膜形成法によって層状に順次設けた下部電極、圧電/電歪層及び上部電極より構成される膜状の圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪膜型素子にして、前記圧電/電歪層が、結晶粒径が0.7μm以上で、気孔率(x)が15%以下の緻密体にて構成され、且つ前記窓部の中心を通る最短寸法に対する前記ダイヤフラム部の中央部付近の撓み量を百分率にて表した撓み率(y)が0〜8%の範囲内にあると共に、それら気孔率(x)と撓み率(y)とが、次式:y≦0.1167x2 -3.317x+25.5を満足するように構成したことを特徴とする圧電/電歪膜型素子。

IPC (4件)：

H01L 41/08 , H01L 29/84 , H01L 41/22 , H04R 17/00

FI (2件)：

H01L 41/08 Z , H01L 41/22 Z

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