特許
J-GLOBAL ID：200903069627496872
半導体製造装置のウェーハ台装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210971
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045754
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【目的】製作費が安価で而もプロセスの条件出しの作業が容易である半導体製造装置のウェーハ台装置を提供する。【構成】枚葉式半導体製造装置の反応管内部でウェーハを支持するウェーハ台装置に於いて、ウェーハ台ベース17に支柱18を立設し、該支柱でウェーハ載置プレート12を支持し、該ウェーハ載置プレートを介してウェーハ11を支持する様にし、支柱に対するウェーハ載置プレートの支持位置を変更可能とし、プロセスの条件出しの作業を容易とし、更に構造を簡潔とした。
請求項（抜粋）：
枚葉式半導体製造装置の反応管内部でウェーハを支持するウェーハ台装置に於いて、ウェーハ台ベースに支柱を立設し、該支柱でウェーハ載置プレートを支持し、該ウェーハ載置プレートを介してウェーハを支持する様にしたことを特徴とする半導体製造装置のウェーハ台装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 N
, H01L 21/205
