特許
J-GLOBAL ID：200903069628407610
マイクロソレノイドコイル及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 佳直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-111353
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015367
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 基板におけるコイルの占有面積を抑えて、インダクタンス値を容易に増加させることができ、磁束をコイル内部に保持して、磁界の変化を均一に維持しうること。【解決手段】 基板1の上に絶縁体材料13を堆積させ、その上に感光材10を塗布し(図のA)。次に透過光量を円環状かつ連続的に100%から0%までの間で制御可能な遮光膜を有するマスクを用いて露光・現像して、ら旋形の感光材を作る(図のB)。続いて、高温処理して感光材を固化し、エッチバックして感光材の下の絶縁体材料13をら旋形状にし(図のC)、その基板上に金属12を堆積し(図のD)、感光材を塗布する(図のE)。続いて、透過光量が0%の円環の遮光膜を有するマスクDを用いて露光し、現像すると、ら旋構造の土台の上の金属だけを被った感光材が残る(図のF)。高温処理して、露出している金属12をエッチングした後(図のG)、感光材を除去する(図のH)。
請求項（抜粋）：
基板上に形成する横型ら旋コイルの断面を二等分にして上半分と下半分に分け、下記の工程A〜Dにより形成する方法であって、前記基板に感光材を塗布し、長方形パターンの外側に遮光膜があり、その内側には遮光膜のないマスクを用いて前記感光材を露光・現像して長方形パターンを感光材に転写して長方形パターンの内側の感光材を除去し、次に感光材が除去された長方形パターンの領域の基板表面が露出した部分を等方性エッチングすることで長方形の溝の断面形状を半円状の下半分に形成する工程Aと、前記工程Aで作成した溝状部分に、ら旋形コイルの下半分の金属配線を形成する工程Bと、前記工程Bで形成した金属配線の上に、ら旋コイルの内側部分を成す断面が円の直径に等しくなるように絶縁体材料を堆積させ、更に断面が円の内側部分の半径に等しくなる厚みの感光材を塗布し、長方形パターンの内側に遮光膜があり、その外側には遮光膜がなく、かつ長方形パターンの短手方向の幅がら旋コイルの内側部分を成す断面の円の直径に等しいマスクを用いて前記感光材を露光・現像して、長方形パターンを感光材に転写して長方形パターンの外側の感光材を除去し、次に加熱・溶融して感光材の断面形状を、円状の上半分に形成し、次にドライエッチングにより前記感光材と共に下地材料をエッチバックして、感光材の断面形状を下地材料に転写して前記下半分に形成した金属配線の内側に、ら旋形コイルの内側部分となる円筒部を絶縁体材料で作成する工程Cと、前記工程Cで作成した円筒部の外周面にら旋形コイルの上半分の金属配線を形成する工程Dと、からなることを特徴とする横型マイクロソレノイドの製造方法。
IPC (3件)：
H01F 41/04
, H01F 5/00
, H01F 5/02
H01F 41/04 C
, H01F 5/00 M
, H01F 5/02 A
