特許

J-GLOBAL ID：200903069630453645

半導体基板の洗浄方法

発明者： 小川 洋輝 ,  早見 由香 ,  藤村 修三
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030805
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229064
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 基板表面に付着したパーティクルを除去するとともに、パーティクルの再付着を抑制し、半導体装置の歩留りを向上できる半導体基板の洗浄方法を提供する。【解決手段】 フッ酸と硝酸との混合溶液により半導体基板を洗浄する。この場合、混合溶液は、表層がシリコンからなる部材を浸漬したときに、混合溶液中の硝酸により部材表面に生成される化学酸化物の生成速度が、前記混合液中のフッ酸による前記化学酸化物のエッチング速度よりも速くなるように、フッ酸と硝酸との混合比及び温度が設定されていることが必要である。

請求項（抜粋）：

フッ酸と硝酸との混合溶液により半導体基板を洗浄する半導体基板の洗浄方法であって、表層がシリコンからなる部材を前記混合溶液に浸漬したときに、前記混合溶液中の硝酸により前記部材表面上に生成される化学酸化物の生成速度が、前記混合液中のフッ酸による前記化学酸化物のエッチング速度よりも速くなるような混合比及び温度の混合溶液により、前記半導体基板を洗浄することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/304 341 S ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/308 G