特許
J-GLOBAL ID：200903069635421822
レーザーアニール方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-330731
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172919
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】ポリシリコン薄膜トランジスタ(TFT)を低温プロセスで製造する際のスループットを向上させる。【解決手段】ガラス基板10を加熱しながらレーザーパルス31による非晶質シリコン11の多結晶化を行って、粒径サイズの大きい良質のポリシリコン12を得た後、冷却媒体24によりガラス基板10を冷却して迅速に装置から取り出す。冷却の初期段階では、基板加熱と冷却を同時に行い、ガラス基板10の急速な温度低下を防止して、歪み等の発生することを防止する。
請求項（抜粋）：
被処理膜が形成された基板を加熱手段により加熱しながら前記被処理膜をレーザーアニール処理するレーザーアニール方法において、前記レーザーアニール処理の終了時に、前記基板を冷却する冷却手段を駆動することを特徴とするレーザーアニール方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/268 G
, H01L 21/20
