特許

J-GLOBAL ID：200903069638293930

半導体装置の製造方法

発明者： 嶋野 彰夫 ,  柁谷 敦宏
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313176
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169670
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 ダイシングしたときのスクライブレーン領域のパターンの剥離等を防止し、組立工程における信頼性を向上する。【構成】 光を遮る遮光パターン8として、モニターパターン7の輪郭を1μm広げたパターンを用いている。このレチクルを用いて、被投影露光領域におけるモニターパターンと遮光パターンが重なるように被投影領域をずらしながら繰り返し縮小投影露光すると、最左端を除くスクライブレーン領域には必要とするサイズのアルミ配線層のモニターパターンが得られ、最左端のスクライブレーン領域にはサイズは若干異なるもののモニターパターンとほぼ同等のパターンを得ることができる。

請求項（抜粋）：

1個以上のチップパターン領域の周囲にスクライブレーン対応領域を有し、最外側の一方の前記スクライブレーン対応領域にモニターパターンを設け、最外側の他方の前記スクライブレーン対応領域に前記モニターパターンと同一または輪郭を広げた遮光パターンを設けたレチクルを準備する工程と、前記レチクルを用いて、被投影露光領域における前記モニターパターンと前記遮光パターンが重なるように前記被投影領域をずらしながら繰り返し投影露光する露光工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/78 L