特許
J-GLOBAL ID：200903069641795246
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134578
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349836
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】この発明は、一定の電位の電極によって電位が変動する電極を覆うことにより、出力パワ-素子の動作時におけるノイズの発生を防止する。【構成】第1、第4のコンタクトホ-ル57a、57dの内および層間絶縁膜57の上に前記N+ 型拡散層52a と電気的に接続されたハイサイド側MOSFETの第1、第2のドレイン電極37a,37b を設け、第2、第3のコンタクトホ-ル57b,57c の内および層間絶縁膜57の上にソ-ス領域のN+ 型拡散層54と電気的に接続されたハイサイド側MOSFETのソ-ス電極39を設けている。第5および第6のコンタクトホ-ル58a,58b の内および絶縁膜58の上に第1の金属電極36を設け、この第1の金属電極36は絶縁膜58を介してソ-ス電極39を完全に覆うように形成されている。従って、出力パワ-素子30a の動作時におけるノイズの発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面上に設けられ、この半導体基板におけるトランジスタの電流通路の一端と電気的に接続された第1の電極と、前記半導体基板の表面上に設けられ、前記電流通路の他端と電気的に接続された第2の電極と、前記第2の電極と電気的に接続されるとともに電位供給源と電気的に接続され、前記第1の電極から発生するノイズをシ-ルドするために前記第1の電極が絶縁膜を介して覆われるように形成された導電層と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 29/44
