特許
J-GLOBAL ID:200903069647373254

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-088821
公開番号(公開出願番号):特開平5-308116
出願日: 1991年04月19日
公開日(公表日): 1993年11月19日
要約:
【要約】【目的】 リードフレームを使用する半導体装置の製造方法に関し、外部リードの半田濡れ性向上を目的とする。【構成】 樹脂封止により樹脂パッケージ1を形成する工程と、該樹脂パッケージ1から突出するアウターリード3の先端部近傍に凹部3aを形成する工程と、該アウターリード3をメッキする工程と、該凹部3aの位置でアウターリード3を切断する工程と、をこの順に含むように構成する。
請求項(抜粋):
樹脂封止により樹脂パッケージ(1) を形成する工程と、該樹脂パッケージ(1) から突出するアウターリード(3) の先端部近傍に凹部(3a)を形成する工程と、該アウターリード(3) をメッキする工程と、該凹部(3a)の位置でアウターリード(3) を切断する工程と、をこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-270360
  • 特開昭63-250163
  • 特開平3-016246

前のページに戻る