特許
J-GLOBAL ID：200903069648153703
III族窒化物半導体およびpn接合ダイオードの製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064124
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260290
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】レーザダイオードの共振面に適する劈開性の強い(0001)面を表面とするp型のIII族窒化物半導体膜を製造し、さらにその半導体を用いたpn接合ダイオードを製造する。【解決手段】GaAsの(111)面を表面とする単結晶基板上にマグネトロンスパッタ法によりZn0層を形成して格子不整合緩和のためのバッファ層とすることにより、p型のIII族窒化物膜が得られる。このp型膜と、GaAs基板上に直接成長させたn型III族窒化物膜とにより、pn接合ダイオードが容易に形成できる。
請求項（抜粋）：
(111)面を表面とするGaAs単結晶基板表面上に(0001)面を表面とするZn0膜をエピタキシャル成長させ、このZn0膜上に(0001)面を表面とするIII族窒化物膜をエピタキシャル成長させることを特徴とするIII族窒化物半導体材料の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 29/861
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 33/00 N
, H01S 3/18
, H01L 29/91 F
