特許
J-GLOBAL ID：200903069649725506
端配列インプラント及び相互接続電極を有する限定された平坦電荷結合デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007802
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236751
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 2相CCDデバイスの改善された製造方法及び減少されたデバイス幾何形状と同様にゲート電極構造を介する改善された光学的透過性を提供する。【解決手段】 完全に自己配列し、平坦な、2相電荷結合デバイスは最初に半導体基板上に均一な第一の絶縁誘電層を形成し;第一の絶縁層に延在するトレンチの形で第二の絶縁層を堆積しパターン化し;基板内に第二の導電性型のトイオンをインプランし、それから第一及び第二の絶縁層上に第一の導電性層の近接して離間された細片をパターン化し、該第一の細片間の領域内に第二の導電性型のイオンを更にインプラントし、第一の導電性細片から電気的に隔離された第二の導電性層を均一に堆積し、近接して離間された共平面の交互の第一及び第二の電気的に隔離された導電性細片を形成するために第一の導電性細片の領域又は第二の絶縁層の領域上に配置された第二の導電性層のそれらの部分の全体を除去し、導電性材料を堆積し酸化する平坦化プロセスにより交互の細片の対を電気的に接続し、第二の絶縁層部分を除去する各段階からなる。
請求項（抜粋）：
第一の導電性型の半導体基板内で、半導体基板内で同一の自己配列されたドーパントインプラントされた細片を有し、絶縁材料のトレンチ内に凹部を設けられた電気的に接続された第一の位相及び第二の位相平坦電極細片の下に置かれ、該トレンチは電極細片の幅を画成し、該電極細片はトレンチの表面と共平面をなす2相電荷結合デバイスを製造する方法であって、(a) 半導体基板を均一に覆う第一の絶縁層を形成し、(b) 半導体基板内に第二の導電性型の不純物イオンをインプラントし;(c) 後で形成される第一及び第二の導電性電極と少なくとも同じ厚さの第二の絶縁層を均一に堆積し;(d) 該第二の絶縁層内に第一の絶縁層の上面に延在するトレンチをパターン化し;(e) 第一の導電性層を均一に堆積し;(f) 露出された表面を有し、第二の絶縁層内のトレンチに実質的に垂直に、離間した第一の導電性細片の形で、該第一及び第二の絶縁層上に第一の導電性層をパターン化し;(g) 導電性基板内に不純物イオンをインプラントし、インプラントは電荷移動方向バイアスインプラントを形成するために第一の半導体細片により覆われた領域内でブロックされ;(h) 露出された第一の導電性細片の表面上に第三の絶縁層を設け;(i) 第二の導電性層を均一に堆積し;(j) その中でそれが第一の導電性細片を覆う領域から第二の導電性層を除去し、第二の導電性層が電気的に隔離され、また第一の導電性細片からも隔離された第二の導電性細片内でパターン化される程度にその中でそれらが第二の絶縁層を覆う領域から第二の導電性層及び第一の導電性細片を除去するために、該均一に堆積された第二の導電性層及び第一の導電性細片を平坦化し;(k) 領域内で第一及び第二の導電性細片の交互の対を分離する溝をエッチングし、エッチングされた領域は各側で第一及び第二の導電性細片の一部分と連続し;(l) 電気的に隔離された第一及び第二の導電性電極を形成するために細片の交互の対を電気的に接続するよう導電性相互接続材料で該溝を満たす、各段階からなる方法。
IPC (3件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
, H01L 27/148
H01L 29/76 301 A
, H01L 27/14 B
