半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-214881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033437
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高密度にして接合部やスルーホールが存在せず、小型で信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法の提供。【解決手段】 ICチップ1と、コンデンサ2と、フィルタ3と、これら各回路部品1,2,3を一体に保持する絶縁性のチップ保持体4と、当該チップ保持体4の表面に電解鋳造され、前記各回路部品1,2,3の端子部と電気的に接続された回路パターン5で半導体装置を構成する。ICチップ1、コンデンサ2、フィルタ3の各端子部には、金属柱1a,2a,3aを電解鋳造し、各金属柱1a,2a,3a間を回路パターン5で接続する。製造方法は、端子部に金属柱が電解鋳造された回路部品をベース板に仮搭載した後、これらの各回路部品を絶縁樹脂で封止し、次いで、当該絶縁樹脂を研磨して表面に金属柱を露出させ、露出された金属柱間に所要の回路パターンを電解鋳造する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのICチップを含む1乃至複数個の回路部品と、当該回路部品の端子部に形成された金属柱と、前記回路部品を保持する絶縁性のチップ保持体と、当該チップ保持体の表面に電解鋳造され、前記回路部品の端子部に形成された金属柱と電気的に接続された回路パターンとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 25/00 , H01L 21/56 , H01L 23/12 , H01L 23/50 , H01L 23/52 , H01Q 23/00

FI (6件)：

H01L 25/00 B , H01L 21/56 R , H01L 23/50 S , H01Q 23/00 , H01L 23/12 B , H01L 23/52 D

Fターム (17件)：

5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA04 , 5F061CB13 , 5F061FA02 , 5F067AA02 , 5F067CB01 , 5F067DF20 , 5J021AA01 , 5J021AB03 , 5J021AB04 , 5J021AB06 , 5J021CA03 , 5J021FA00 , 5J021FA23 , 5J021HA05 , 5J021JA07

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